După ce în urmă cu aproape 4 luni vă scriam despre tehnologia 3D NAND pentru memorii flash, acum revin cu un nou material ce îi are în prim plan pe cei de la Intel Corporation și Micron Technology. Cele două companii ne anunță că au început producția unui nou tip de memorie non-volatilă – 3D XPoint (se pronunță cross point).
Se pare că această nouă tehnologie reprezintă un progres major și prima nouă categorie de memorie de la lansarea celei flash de tip NAND în 1989. Noua arhitectură 3D XPoint promite să fie de până la 1000 de ori mai rapidă și are o durabilitate de până la 1000 de ori mai mare comparativ cu tehnologia NAND, fiind în același timp de 10 ori mai densă față de memoriile convenționale (DRAM).
Fără să dea prea multe detalii, Intel și Micron vorbesc despre o arhitectură inovatoare, fără tranzistori, ce creează o tablă de șah tridimensională în care celulele de memorie sunt așezate astfel încât să permită ca ele să fie abordate în mod individual. Drept rezultat, datele pot fi scrise și citite în volume mici, ceea ce duce la procese mai eficiente și mai rapide de citire/scriere.
Deocamdată nu ne-au fost oferite mai multe detalii, dar Intel și Micron dezvoltă în prezent produse individuale bazate pe noua tehnologie. 3D XPoint va fi disponibilă încă din acest an pentru anumiți clienți.
Dacă cifrele de mai sus (de 1000 de ori mai rapidă și mai durabilă și de 10 ori mai densă) vor avea acoperire și în utilizarea efectivă a produselor ce integrează tehnologia 3D XPoint, atunci abia așteptăm să o vedem la lucru.
