Samsung a anunțat un dispozitiv de stocare de tip eUFS 2.1 de 1 TB.
Lansarea lui Samsung GALAXY S10 și S10 Plus urmează a avea loc pe 20 februarie și s-ar putea să fie prea din scurt pentru versiunea cu 1 TB stocare (noul eUFS 2.1 de 1TB abia intră în producție, iar primele loturi de S10, S10 Plus aș face pariu că sunt deja pe vapor sau în avion spre destinație).
Totuși, mă aștept ca prin aprilie / mai să fie prezentată o variantă de GALAXY S10 / S10 Plus cu 1 TB stocare. Ar fi un element de diferențiere față de concurență, la un preț pe măsură.
Detalii tehnice legate de eUFS-ul de 1 TB:
- dimensiuni identice cu modelul de 512 GB – 11.5 x 13 mm;
- combinare a 16 straturi de memorie flash Samsung V1200N cu un controller nou dedicat;
- viteze de până la 1000 MB/s (viteze de aproape 2 ori peste ceea ce primești pe un SSD SATA de 2.5 inch!);
- viteza de citire aleatorie – 58.000 IOPS cu 38% peste modelul de 512 GB;
- viteză de scriere de peste 500 ori peste cea oferită de un card microSD de înaltă performanță;
- producția este realizată într-o fabrică din Coreea de Sud.
Declarație oficială:
„Modelul 1TB eUFS va juca un rol esențial în a aduce experiența de utilizare de pe notebook-uri la următoarea generație de dispozitive mobile. În plus, Samsung se angajează să asigure un lanț de aprovizionare fiabil și producție suficientă pentru a suporta lansarea în timp util a smartphone-urilor viitoare în așa fel încât să susținem o creștere accelerată pe piața mobilă globală”, a declarat Cheol Choi, vice-președinte executiv al Memory Sales & Marketing Samsung.
