Samsung este un gigant ale cărui operațiuni se întind de la telefoane mobile și până la domeniul auto. Compania sud-coreeană a anunțat intrarea în producție pentru prima memorie DRAM DDR4 pe 10nm.
Este o tehnologie ce a avut întâmpinat probleme la nivel de scalare, dar Samsung a folosit un proces de litografiere ArF (fluorură de argon) prin imersie. Memoria DRAM pe 10nm sosește cu 8 GB dedicați, ar fi mai eficientă cu 30% faă de memoriile DRAM DDR4 echivalente pe 20nm.
Rata de transfer urcă la 3200 Mbps vs 2400 Mbos la DRAM DDR4 pe 20nm, consumul de energie ar fi mai mic cu 10 – 20%. Gigantul asiatic are în plan să aducă și o soluție mobilă pe 10nm și DDR4 pentru smartphone-urile sale cu rezoluție Ultra HD. Cine știe, s-ar putea să vedem un astfel de modul pe viitorul phablet Samsung GALAXY Note 6.
Declarație oficială:
„Samsung DRAM cu arhitectură pe 10nm va permite cel mai înalt nivel de eficienţă a investiţiilor in sistemele IT, devenind astfel un nou motor de creștere pentru industria de memorii la nivel global,” a declarat Young-Hyun Jun, președinte al Memory Business, Samsung Electronics. „În viitorul apropiat, vom lansa noi produse ce integrează tehnologia mobilă DRAM de 10nm cu densități înalte, pentru a ajuta producătorii de telefoane mobile să dezvolte dispozitive și mai inovatoare.”
