În prezent avem în piaţă (unii dintre voi poate chiar citiţi acest articol de pe un astfel de device) smartphone-uri cu procesoare realizate pe un proces de litografiere de 3nm.
TSMC, cel mai mare producător global de procesoare mobile, a confirmat că în 2025 va prezenta oficial tehnologia de producere a chip-urilor pe un proces de litografiere de 2nm. Vorbim de cea mai avansată şi mai sofisticată componentă hardware, una cu multiple avantaje pentru ce ne va rezerva viitorul.
TSMC va produce aceste procesoare de 2nm în fabricile sale din Taiwan, însă Statele Unite ale Americii pune presiune încă de acum pe companie ca transferul de producţie să fie făcut în cel mai scurt timp şi la fabrica sa din Arizona.
Aici este însă o problemă legislativă, reglementările din Taiwan interzic transferul de tehnologii avansate în străinătate într-un anumit interval de timp. Spre exemplu, în forma lor actuală, reglementările permit ca procesoarele realizate pe 3nm să fie produse în Statele Unite ale Americii pe final de 2025 – început de 2026.
Cu toate acestea, Chen-Wen Wu, oficial din cadrul Consiliului Naţional pentru Ştiinţă şi Tehnologie din Taiwan, a declarat că transferul de tehnologie către naţiuni democratice prietene ar putea fi totuşi discutat în viitor. Acesta susţine practic că la solicitarea Statelor Unite ale Americii, transferul de tehnologie pentru producţia de 2nm, s-ar putea realiza mai devreme (în mod normal acesta nu ar trebui să aibă loc mai devreme de finalul acestui deceniu).
Chiar dacă această decizie politică va fi luată, tot va fi greu ca Statele Unite ale Americii să producă repede şi bine procesoare pe 2nm. În primul rând pentru că nu există suficiente fabrici, în al doilea rând pentru că nu există echipamente specializate ca în Taiwan, iar în al treilea rând pentru că cercetarea şi dezvoltarea se desfăşoară în totalitate în Taiwan, astfel că trecerea de la teste, încercări etc. către producţia de masă, nu se poate realiza eficient când întreg procesul este împărţit în locaţii diferite, din ţări diferite.
