IBM şi Samsung îşi doresc să schimbe complet design-ul microprocesoarelor, aspect ce ar duce la o revoluţie în domeniu.
În prezent gruparea tranzistorilor se face pe orizontală, tehnologia numindu-se FinFET. Pentru un plus de performanţă se încearcă pe cât posibil miniaturizarea cipurilor, însă în curând această tehnologie îşi va atinge limitele.
IBM şi Samsung lucrează la un nou design al semiconductorilor, unul numit Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET). Acesta va permite gruparea tranzistorilor atât pe orizontală, cât şi pe verticală. Se vor putea obţine astfel microprocesoare cu latenţe mult mai mici, cu performanţe cel puţin duble decât cele din prezent sau cu consum de energie mult redus.
Cele două companii au transmis că în câţiva ani vom avea smartphone-uri cu autonomie de peste o săptămână, minare de criptomonede la costuri mult reduse şi device-uri IoT mult mai pueternice.
Chiar dacă sună bine, tehnologia VTFET se află încă într-un stadiu incipient, astfel că vor mai trece ani buni până când vom putea vedea la lucru un procesor realizat pe acest design.
httpvh://youtu.be/OF3Zwfu6Ngc
